FDS6064N7详细
MOSFET N-CH 20V 23A 8-SOIC
FDS6064N7参数
包装:带卷 (TR),系列:PowerTrench®,FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):20V,电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):23A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):3.5 毫欧 @ 23A,4.5V,不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):98nC @ 4.5V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):7191pF @ 10V,功率 - 最大值:3W,安装类型:表面贴装,封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm Width)裸露焊盘,供应商器件封装:8-SOIC